Přejít k obsahu

Publikační činnost

Přehled publikační činnosti je uveden ve výročních zprávách na úřední desce FAV.

Níže je k dispozici on-line výpis z databáze publikační činnosti v jednotlivých letech (Pozn. vzhledem k většímu počtu publikačních výsledků může trvat zobrazení výpisu déle).



Optimization of sputtered ZnO transparent conductive seed layer for flexible ZnO-nanorod-based devices

Citace:
NOVÁK, P., BRISCOE, J., KOZÁK, T., KORMUNDA, M., NETRVALOVÁ, M., BACHRATÁ, Š. Optimization of sputtered ZnO transparent conductive seed layer for flexible ZnO-nanorod-based devices. Thin Solid Films, 2017, roč. 634, č. JUL 31 2017, s. 169-174. ISSN: 0040-6090
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Optimization of sputtered ZnO transparent conductive seed layer for flexible ZnO-nanorod-based devices
Rok vydání: 2017
Autoři: Ing. Petr Novák Ph.D. , Joe Briscoe , Ing. Tomáš Kozák Ph.D. , Martin Kormunda , Ing. Marie Netrvalová Ph.D. , Ing. Štěpánka Bachratá
Abstrakt CZ: Výroba anorganických průhledných vodivých oxidových vrstev na polymerních substrátech se těší rostoucímu zájmu vzhledem k jejich možnému použití v oblasti flexibilní elektroniky. Předmětem této práce je nahrazení vrstev obsahující indium vrstvou hliníkem dopovaného oxidu zinečnatého (AZO) v zařízeních založených na ZnO-nanotyčinkách. Vrstvy kombinují úlohu zárodečných vrstev s povrchovým odporem menším než 100 ?/sq. Zkoumané AZO vrstvy o tloušťce až 300 nm byly naneseny na substrátech z polyethylentereftalátu o tloušťce 150 um (i) vysokofrekvenčním magnetronovým rozprašováním z terče ZnO / Al2O3 a (ii) rozprašováním z terčů ZnO a Al v argonové atmosféře . Bylo zjištěno, že naprašování ze keramického a kovového terče vede k nižšímu rezistivitě filmu v důsledku lepší aktivace donorů Al ve vrstvě AZO. Růst nanotyčinek ZnO byl prokázán u obou typů filmu. Naprášené AZO vrstvy byly pokryty nedopovanou vrsvou ZnO pro zlepšení morfologie nanotyčinekZnO.
Abstrakt EN: The fabrication of inorganic transparent conductive oxide films on polymer substrates has been of increasing interest due to their potential applications in the field of flexible electronics. The subject of the present work is replacing the preferably-used indium tin oxide films by an aluminium zinc oxide (AZO) film in ZnO-nanorod-based devices, combining the role of the seed layer for nanorod growth with a sheet resistance lower than 100 ?/sq. The investigated AZO films with thickness up to 300 nm were deposited on 150 ?m thick polyethylene terephthalate substrates by (i) radiofrequency magnetron sputtering from a ZnO/Al2O3 target and (ii) co-sputtering from ZnO and Al targets in an argon atmosphere. AZO films with good transparency and thickness of 160 nm and sheet resistance lower than 100 ?/sq. were prepared by co-sputtering. It was found that co-sputtering leads to lower film resistivity due to better activation of Al atoms in the AZO film. ZnO nanorod growth was demonstrated on both types of film, and the co-sputtered AZO films were covered by a pure (undoped) ZnO film to improve the ZnO nanorod morphology.
Klíčová slova

Zpět

Patička